SQUN702E-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

sterben

Anzahl der Kanäle:

3 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V, 200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A, 30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V, 2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

14 nC, 23 nC, 30.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

48 W, 60 W

Aufbau:

Verdreifachen

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

16 S, 19 S, 65 S

Abfallzeit:

2 ns, 10 ns, 19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns, 9 ns, 12 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns, 22 ns, 43 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns, 8 ns, 10 ns

Tags

SQU