IXFK200N10P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-264-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

235 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

830 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

26.59 mm

Länge:

20.29 mm

Serie:

IXFK200N10

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Polar HiPerFET Leistungs-MOSFET

Breite:

5.31 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

60 S

Abfallzeit:

90 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

35 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

150 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Gewichtseinheit:

0.352740 oz

Tags

IXFK20, IXFK2, IXFK, IXF