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IXYP10N65C3D1M

IXYP10N65C3D1M
Mfr. #:
IXYP10N65C3D1M
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Transistors DISC IGBT XPT-GENX3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXYP10N65C3D1M Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXYP10N65C3D1M DatasheetIXYP10N65C3D1M Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Technologie:
Si
Paket / Koffer:
TO-220-3
Montageart:
Durchgangsloch
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
650 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
2.27 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
15 A
Pd - Verlustleistung:
53 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Kontinuierlicher Kollektorstrom Ic Max:
50 A
Marke:
IXYS
Gate-Emitter-Leckstrom:
100 nA
Produktart:
IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
IGBTs
Tags
IXYP10N65C, IXYP10, IXYP1, IXYP, IXY
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXYP10N65C3D1M
DISTI # IXYP10N65C3D1M-ND		IXYS CorporationIGBT
RoHS: Not compliant
Min Qty: 50
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 50:$2.1000
Bild Teil # Beschreibung
IXYP10N65B3D1

Mfr.#: IXYP10N65B3D1

OMO.#: OMO-IXYP10N65B3D1

 Discrete Semiconductor Modules Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
IXYP10N65C3D1

Mfr.#: IXYP10N65C3D1

OMO.#: OMO-IXYP10N65C3D1

 IGBT Transistors DISC IGBT XPT-GENX3
IXYP10N65C3D1M

Mfr.#: IXYP10N65C3D1M

OMO.#: OMO-IXYP10N65C3D1M

 IGBT Transistors DISC IGBT XPT-GENX3
IXYP10N65C3D1

Mfr.#: IXYP10N65C3D1

OMO.#: OMO-IXYP10N65C3D1-IXYS-CORPORATION

 IGBT 650V 30A 160W TO-220
IXYP10N65C3

Mfr.#: IXYP10N65C3

OMO.#: OMO-IXYP10N65C3-IXYS-CORPORATION

 IGBT 650V 30A 160W TO220
IXYP10N65C3D1M

Mfr.#: IXYP10N65C3D1M

OMO.#: OMO-IXYP10N65C3D1M-IXYS-CORPORATION

 IGBT
Verfügbarkeit
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2,55 $
10
2,31 $
23,10 $
25
2,10 $
52,50 $
50
2,02 $
101,00 $
100
1,89 $
189,00 $
250
1,84 $
460,00 $
500
1,47 $
735,00 $
1000
1,22 $
1 220,00 $
2500
1,18 $
2 950,00 $
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