SSM6N7002FUTE85LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

SSM6N7002

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Toshiba

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

170 mS

Abfallzeit:

72 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

72 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

69 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

SSM6N7002F, SSM6N7, SSM6N, SSM6, SSM