2SB1443TV2Q

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

200 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

270

Höhe:

4.4 mm

Länge:

6.8 mm

Verpackung:

Munitionspackung

Breite:

2.5 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 2 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

120

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2SB1443, 2SB144, 2SB14, 2SB1, 2SB