STD60NF55LAT4

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

55 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

15 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

110 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Höhe:

2.4 mm

Länge:

6.6 mm

Serie:

STD60NF55LA

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.2 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

180 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Gewichtseinheit:

0.012346 oz

Tags

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