CSD17308Q3T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

VSON-Clip-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V, 8 V

Qg - Gate-Ladung:

3.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

28 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

CSD17308Q3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

37 S

Abfallzeit:

2.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.7 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

9.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.5 ns

Gewichtseinheit:

0.001365 oz

Tags

CSD17308Q, CSD17308, CSD1730, CSD173, CSD17, CSD1, CSD