STP5NK65Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.8 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

25 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

85 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.15 mm

Länge:

10.4 mm

Serie:

STP5NK65Z

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4.6 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5 S

Abfallzeit:

40 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

140 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

STP5NK65, STP5NK6, STP5NK, STP5N, STP5, STP