FJX3012RTF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren – vorgespannt

RoHS:

Y

Aufbau:

Single

Polarität des Transistors:

NPN

Typischer Eingangswiderstand:

47 kOhms

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323-3

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

100

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.1 A

Spitzen-DC-Kollektorstrom:

100 mA

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Verpackung:

Spule

DC-Stromverstärkung hFE Max:

600

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Typ:

Epitaxialer NPN-Siliziumtransistor

Breite:

1.25 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Produktart:

BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000176 oz

Tags

FJX3012, FJX301, FJX30, FJX3, FJX