FDMS86201

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Power-56-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

120 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

65 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

32 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

104 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

6 mm

Serie:

FDMS86201

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

N-Kanal Power Trench MOSFET

Breite:

5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

39 S

Abfallzeit:

7.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13 ns

Gewichtseinheit:

0.002402 oz

Tags

FDMS8620, FDMS862, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM