ZXTN2031FTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

80 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

125 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXTN2031

DC-Stromverstärkung hFE Max:

190 at 10 mA, 2 V

Höhe:

1 mm

Länge:

3.05 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

4.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

190 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 200 at 2 A, 2 V, 80 at 5 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

ZXTN2031, ZXTN203, ZXTN20, ZXTN2, ZXTN, ZXT