TC58NVG0S3HBAI4

Mfr. #:: TC58NVG0S3HBAI4
Hersteller:: Toshiba Memory
Beschreibung:: EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
Lebenszyklus:: Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:: TC58NVG0S3HBAI4 Datenblatt
Die Zustellung:: DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

Produkteigenschaft
Attributwert

Hersteller: Toshiba Halbleiter und Speicher

Produktkategorie: Erinnerung

Serie: -

Verpackung: Tablett

Paket-Koffer: 63-VFBGA

Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)

Schnittstelle: Parallel

Spannungsversorgung: 2.7 V ~ 3.6 V

Lieferanten-Geräte-Paket: 63-TFBGA (9x11)

Speichergröße: 1G (128M x 8)

Speichertyp: EEPROM - NAND

Geschwindigkeit: 25ns

Format-Speicher: EEPROMs - Seriell

Tags: TC58NVG0S3HBAI4, TC58NVG0S3HB, TC58NVG0S3H, TC58NVG0S3, TC58NVG0S, TC58NVG0, TC58NVG, TC58NV, TC58N, TC58, TC5

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TC58NVG0S3HBAI4 Bewertungen und Rezensionen

J***d

Goods in Order. Fast Delivery. Like again.

2019-08-02

O***a

Works great

2019-05-24

E**n

2019-06-14

J***s

Well packed.

2019-08-13

Market price

Teil #	Mfg.	Beschreibung	Aktie	Preis
TC58NVG0S3HBAI4 DISTI # TC58NVG0S3HBAI4-ND	Toshiba Semiconductor and Storage Products	IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tray	Temporarily Out of Stock	1050:$2.3105 630:$2.4302 420:$2.5231 210:$2.5326 50:$2.8240 25:$2.8396 10:$2.9030 1:$3.2000
TC58NVG0S3HBAI4 DISTI # TC58NVG0S3HBAI4	Toshiba America Electronic Components	SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M X 8bit 25ns 63-Pin TFBGA Tray - Trays (Alt: TC58NVG0S3HBAI4) RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tray	Americas - 0	1:$2.8900 10:$2.5900 25:$2.5900 50:$2.5900 100:$2.2900 500:$2.1900 1000:$2.0900
TC58NVG0S3HBAI4 DISTI # 757-TC58NVG0S3HBAI4	Toshiba America Electronic Components	NAND Flash 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) RoHS: Compliant	416	1:$3.0500 10:$2.7700 50:$2.6900 100:$2.4200 250:$2.4100 500:$2.3200 1000:$2.2100 2500:$2.1800

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	Mfr.#: TC58NVGOS3EBA14 OMO.#: OMO-TC58NVGOS3EBA14-1190	Neu und Original
	Mfr.#: TC58NVG0S3HBAI4 OMO.#: OMO-TC58NVG0S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA	EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
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1000: ~~1,79 $~~; ~~1 788,00 $~~

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