APT30F60J

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

RoHS:

Y

Produkt:

Leistungs-MOSFET-Module

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Montageart:

Schraubbefestigung

Paket / Koffer:

SOT-227-4

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Verpackung:

Rohr

Aufbau:

Single

Höhe:

9.6 mm

Länge:

38.2 mm

Breite:

25.4 mm

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Abfallzeit:

44 ns

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

31 A

Pd - Verlustleistung:

355 W

Produktart:

Diskrete Halbleitermodule

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

120 mOhms

Anstiegszeit:

55 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

Handelsname:

POWER MOS 8, ISOTOP

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

145 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

48 ns

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Gewichtseinheit:

1.058219 oz

Tags

APT30F, APT30, APT3, APT