CSD75207W15

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DSBGA-9

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

54 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

600 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

2.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

0.7 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.62 mm

Länge:

1.5 mm

Serie:

CSD75207W15

Transistortyp:

2 P-Channel

Breite:

1.5 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6.2 S

Abfallzeit:

16 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12.8 ns

Gewichtseinheit:

0.000088 oz

Tags

CSD7520, CSD752, CSD75, CSD7, CSD