SSM3J129TU(T5L,T)

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

UFM-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

46 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

8.1 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.7 mm

Länge:

2 mm

Serie:

SSM3J129

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.7 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

102 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

32 ns

Gewichtseinheit:

0.000233 oz

Tags

SSM3J129, SSM3J12, SSM3J1, SSM3J, SSM3, SSM