ZXMP10A18KTC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

150 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

26.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

10.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

ZXMP10A

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6 S

Abfallzeit:

17.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.8 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.9 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

ZXMP10A18K, ZXMP10A18, ZXMP10A1, ZXMP1, ZXMP, ZXM