APT11N80KC3G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

11 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

390 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

60 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

156 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

9.66 mm

Länge:

10.66 mm

Breite:

4.82 mm

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Abfallzeit:

7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

127

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

70 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

APT11N, APT11, APT1, APT