SGR2N60UFDTM

SGR2N60UFDTM
Mfr. #:
SGR2N60UFDTM
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SGR2N60UFDTM Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SGR2N60UFDTM DatasheetSGR2N60UFDTM Datasheet (P4-P6)SGR2N60UFDTM Datasheet (P7)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Fairchild Semiconductor
Produktkategorie
IGBTs - Single
Serie
-
Verpackung
Band & Spule (TR)
Paket-Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabetyp
Standard
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Lieferanten-Geräte-Paket
D-Pak
Leistung max
25W
Reverse-Recovery-Time-trr
-
Strom-Kollektor-Ic-Max
2.4A
Spannungs-Kollektor-Emitter-Breakdown-Max
600V
IGBT-Typ
-
Strom-Kollektor-gepulster-Icm
10A
Vce-on-Max-Vge-Ic
2.6V @ 15V, 1.2A
Schaltenergie
30μJ (on), 13μJ (off)
Gate-Gebühr
9nC
Td-ein-aus-25°C
15ns/80ns
Testbedingung
300V, 1.2A, 200 Ohm, 15V
Tags
SGR2N60UFD, SGR2N, SGR2, SGR
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***i-Key
IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
***ser
IGBTs Dis,High Perf IGBT
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SGR2N60UFDTM
DISTI # SGR2N60UFDTM-ND
ON SemiconductorIGBT 600V 2.4A 25W DPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SGR2N60UFDTM IGBT0
      SGR2N60UFDTM_NL IGBT0
        SGR2N60UFDTMFairchild Semiconductor CorporationInsulated Gate Bipolar Transistor, 2.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
        RoHS: Compliant
        Europe - 2500
          Bild Teil # Beschreibung
          SGR2N60UF

          Mfr.#: SGR2N60UF

          OMO.#: OMO-SGR2N60UF-1190

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          SGR2N60UFD

          Mfr.#: SGR2N60UFD

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          SGR2N60UFDTF

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          OMO.#: OMO-SGR2N60UFDTF-ON-SEMICONDUCTOR

          IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
          SGR2N60UFDTM

          Mfr.#: SGR2N60UFDTM

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          IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
          SGR2N60UFTFFSC

          Mfr.#: SGR2N60UFTFFSC

          OMO.#: OMO-SGR2N60UFTFFSC-1190

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