SP8M4FU6TB

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9 A, 7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

18 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5 mm

Serie:

SP8M4

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

22 ns, 70 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns, 50 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

55 ns, 110 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns, 20 ns

Teil # Aliase:

SP8M4

Gewichtseinheit:

0.030018 oz

Tags

SP8M4FU, SP8M4F, SP8M4, SP8M, SP8