MSD2714AT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-59-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

25 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

30 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

3 V

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

650 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

1.09 mm

Länge:

2.9 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.5 mm

Marke:

ON Semiconductor

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

90

Pd - Verlustleistung:

225 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

MSD27, MSD2, MSD