STP3NK80Z

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.5 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

19 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

70 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SuperMESH

Höhe:

9.15 mm

Länge:

10.4 mm

Serie:

STP3NK80Z

Transistortyp:

1 N-Channel Power MOSFET

Typ:

MOSFET

Breite:

4.6 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

40 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

27 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

36 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Gewichtseinheit:

0.070548 oz

Tags

STP3NK8, STP3NK, STP3N, STP3, STP