EM6K33T2R

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-563-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

50 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

300 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

EM6K33

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

55 ns, 55 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns, 6 ns

Werkspackungsmenge:

8000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns, 15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4 ns, 4 ns

Teil # Aliase:

EM6K33

Gewichtseinheit:

0.000106 oz

Tags

EM6K33, EM6K3, EM6K, EM6