NTHC5513T1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

ChipFET-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

80 mOhms, 155 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.1 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.05 mm

Länge:

3.05 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.65 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6 S

Abfallzeit:

3 ns, 27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns, 13 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10 ns, 33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns, 7 ns

Gewichtseinheit:

0.002998 oz

Tags

NTHC5513T, NTHC551, NTHC5, NTHC, NTH