SPW35N60CFD

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

34.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

118 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

313 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.1 mm

Länge:

16.13 mm

Serie:

CoolMOS-CFD

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.21 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

12 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

240

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

65 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Teil # Aliase:

SP000065487 SPW35N60CFDFKSA1 SPW35N6CFDXK

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

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