FDMS86150ET100

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Power-56-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

128 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

44 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

187 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerTrench Power Clip

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

FDMS86150ET100

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

53 S

Abfallzeit:

6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Gewichtseinheit:

0.001993 oz

Tags

FDMS86150, FDMS8615, FDMS861, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM