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ALD212900ASAL

ALD212900ASAL
Mfr. #:
ALD212900ASAL
Hersteller:
Advanced Linear Devices
Beschreibung:
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
ALD212900ASAL Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
ALD212900ASAL DatasheetALD212900ASAL Datasheet (P4-P6)ALD212900ASAL Datasheet (P7-P9)ALD212900ASAL Datasheet (P10-P12)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Fortschrittliche Lineargeräte
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOIC-8
Anzahl der Kanäle:
2 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
10 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
79 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
14 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
10 mV
Vgs - Gate-Source-Spannung:
10.6 V
Minimale Betriebstemperatur:
0 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 70 C
Pd - Verlustleistung:
500 mW
Aufbau:
Dual
Kanalmodus:
Erschöpfung
Verpackung:
Rohr
Serie:
ALD212900A
Transistortyp:
2 N-Channel
Marke:
Fortschrittliche Lineargeräte
Produktart:
MOSFET
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
10 ns
Gewichtseinheit:
0.002998 oz
Tags
ALD212900, ALD21290, ALD2129, ALD212, ALD21, ALD2, ALD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
ALD212900ASAL
DISTI # 1014-1211-ND		Advanced Linear Devices IncMOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 50
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 50:$4.0050
ALD212900ASAL
DISTI # 585-ALD212900ASAL		Advanced Linear Devices IncMOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
RoHS: Compliant		44
  • 1:$5.2700
  • 10:$4.7100
  • 25:$4.2400
  • 50:$4.1300
  • 100:$3.8600
  • 250:$3.4900
  • 500:$3.1300
  • 1000:$2.6400
  • 2500:$2.5100
Bild Teil # Beschreibung
LPV802DGKR

Mfr.#: LPV802DGKR

OMO.#: OMO-LPV802DGKR

 Operational Amplifiers - Op Amps Op Amp w/ excellent speed to power ratio
TLV8802DGKR

Mfr.#: TLV8802DGKR

OMO.#: OMO-TLV8802DGKR

 Operational Amplifiers - Op Amps OP AMP W/ EXCELLENT SPEED TO POWER RATIO
DMP1045UQ-7

Mfr.#: DMP1045UQ-7

OMO.#: OMO-DMP1045UQ-7

 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMG2302UK-7

Mfr.#: DMG2302UK-7

OMO.#: OMO-DMG2302UK-7

 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMG2301LK-7

Mfr.#: DMG2301LK-7

OMO.#: OMO-DMG2301LK-7

 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMG2302UKQ-7

Mfr.#: DMG2302UKQ-7

OMO.#: OMO-DMG2302UKQ-7

 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMG2301LK-7

Mfr.#: DMG2301LK-7

OMO.#: OMO-DMG2301LK-7-DIODES

 MOSFET P-CHA 20V 2.4A SOT23
DMG2302UK-7

Mfr.#: DMG2302UK-7

OMO.#: OMO-DMG2302UK-7-DIODES

 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP1045UQ-7

Mfr.#: DMP1045UQ-7

OMO.#: OMO-DMP1045UQ-7-DIODES

 Trans MOSFET P-CH 12V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R
LPV802DGKR

Mfr.#: LPV802DGKR

OMO.#: OMO-LPV802DGKR-TEXAS-INSTRUMENTS

 IC OP AMP RR 8KHZ 8-VSSOP
Verfügbarkeit
Aktie:
44
Auf Bestellung:
2027
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
5,27 $
5,27 $
10
4,71 $
47,10 $
25
4,24 $
106,00 $
50
4,13 $
206,50 $
100
3,86 $
386,00 $
250
3,49 $
872,50 $
500
3,13 $
1 565,00 $
1000
2,64 $
2 640,00 $
2500
2,51 $
6 275,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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