IRFS3307ZTRRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

75 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

79 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

230 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

320 S

Abfallzeit:

65 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

64 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

SP001568048

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IRFS3307Z, IRFS3307, IRFS330, IRFS33, IRFS3, IRFS, IRF