DMP4015SK3Q-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

35 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

47.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.7 mm

Serie:

DMP4015

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

6.2 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

26 S

Abfallzeit:

137.9 nS

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

302.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13.2 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

DMP4015SK3Q, DMP4015SK, DMP4015S, DMP4015, DMP401, DMP40, DMP4, DMP