ZXT12N50DXTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MSOP-8

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

100 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7.5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

135 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

132 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXT12

DC-Stromverstärkung hFE Max:

250 at 10 mA, 2 V

Höhe:

0.95 mm

Länge:

3.1 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

3.1 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 150 at 3 A, 2 V, 50 at 5 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

870 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.004938 oz

Tags

ZXT12N50DXT, ZXT12N5, ZXT12N, ZXT12, ZXT1, ZXT