2SK1828TE85LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-346-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

50 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

20 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Serie:

2SK1828

Typ:

HF-Kleinsignal-MOSFET

Breite:

1.5 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Tags

2SK1828T, 2SK1828, 2SK182, 2SK18, 2SK1, 2SK