APT21M100J

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Chassishalterung

Paket / Koffer:

SOT-227-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

21 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

380 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

260 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

462 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

8.9 mm

Länge:

38 mm

Produkt:

MOSFET

Typ:

Leistungs-MOSFET

Breite:

25.2 mm

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

34 S

Abfallzeit:

33 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

35 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

130 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

39 ns

Gewichtseinheit:

1.058219 oz

Tags

APT2, APT