TPH5R906NH,L1Q

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-Advance-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

71 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

38 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

57 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.95 mm

Länge:

5 mm

Serie:

TPH5R906NH

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.9 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

22 ns

Gewichtseinheit:

0.030018 oz

Tags

TPH5R906NH,L, TPH5R9, TPH5R, TPH5, TPH