STD9NM50N

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

560 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

14 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

70 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

MDmesh

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.4 mm

Länge:

6.6 mm

Serie:

STD9NM50N

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.2 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STD9NM5, STD9NM, STD9N, STD9, STD