TK2R9E10PL,S1X

TK2R9E10PL,S1X
Mfr. #:
TK2R9E10PL,S1X
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET Power MOSFET ID=240A VDSS=100V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK2R9E10PL,S1X Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
240 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
2.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
83 nC, 161 nC
Pd - Verlustleistung:
306 W
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Rohr
Serie:
TK2R9E10PL
Marke:
Toshiba
Abfallzeit:
46 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
22 ns
Werkspackungsmenge:
50
Unterkategorie:
MOSFETs
Tags
TK2
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TK2R9E10PL Silicon N-channel MOSFET
Toshiba TK2R9E10PL Silicon N-channel MOSFET is a high-speed switching device with a small gate charge of 48nC. The device features a small output charge of 164nC. The TK2R9E10PL also has a low drain-source on-resistance RDS(ON) that equals 2.4mΩ and low leakage current.
Bild Teil # Beschreibung
SN6505BDBVR

Mfr.#: SN6505BDBVR

OMO.#: OMO-SN6505BDBVR

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Mfr.#: STP24N60M6

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LTC6804HG-1#3ZZPBF

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OMO.#: OMO-SN6505BDBVR-TEXAS-INSTRUMENTS

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Mfr.#: TEC 2-1212

OMO.#: OMO-TEC-2-1212-TRACO-POWER

2 WATT SIP-8 DC/DC CONVERTER, TU
Verfügbarkeit
Aktie:
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Auf Bestellung:
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3,03 $
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100
2,20 $
220,00 $
500
1,71 $
855,00 $
1000
1,42 $
1 420,00 $
2500
1,32 $
3 300,00 $
5000
1,27 $
6 350,00 $
10000
1,10 $
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