DMNH4006SK3-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

90 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

51 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

2.2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.29 mm

Länge:

6.58 mm

Serie:

DMNH4006

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.1 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

8.1 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9.3 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7.7 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

DMNH4006, DMNH400, DMNH40, DMNH4, DMNH, DMN