FQD4P25TM-WS

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

250 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.1 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

45 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

QFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

FQD4P25TM_WS

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

27 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

60 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

14 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.5 ns

Teil # Aliase:

FQD4P25TM_WS

Gewichtseinheit:

0.009184 oz

Tags

FQD4P25TM, FQD4P25T, FQD4P2, FQD4P, FQD4, FQD