ZTX753STZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 100 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 120 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 300 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

140 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

Serie:

ZTX753

Höhe:

4.01 mm

Länge:

4.77 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

2.41 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 2 A

Pd - Verlustleistung:

1 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

ZTX753S, ZTX753, ZTX75, ZTX7, ZTX