BSC009NE2LS

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

168 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

96 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.27 mm

Länge:

5.9 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.15 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

85 S

Abfallzeit:

19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

48 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Teil # Aliase:

BSC009NE2LSATMA1 BSC9NE2LSXT SP000893362

Gewichtseinheit:

0.004090 oz

Tags

BSC009, BSC00, BSC0, BSC