SUP40012EL-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220AB-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

150 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.79 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

195 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

150 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

230 S

Abfallzeit:

18 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

65 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Tags

SUP4001, SUP400, SUP40, SUP4, SUP