RD3H080SPFRATL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

45 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

91 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

- 3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

15 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6 S

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Tags

RD3H08, RD3H0, RD3H, RD3