BUK758R3-40E,127

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

75 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

24 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

96 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

BUK758R3, BUK758, BUK75, BUK7, BUK