CSD22202W15

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DSBGA-9

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

8 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

17.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

6 V

Qg - Gate-Ladung:

6.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.62 mm

Länge:

1.5 mm

Serie:

CSD22202W15

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.5 mm

Marke:

Texas Instruments

Abfallzeit:

38 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8.4 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

109 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10.4 ns

Gewichtseinheit:

0.000088 oz

Tags

CSD222, CSD22, CSD2, CSD