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BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005
Mfr. #:
BSM120D12P2C005
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Beschreibung:
Discrete Semiconductor Modules Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BSM120D12P2C005 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
BSM120D12P2C005 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ROHM Halbleiter
Produktkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Y
Produkt:
Leistungshalbleitermodule
Typ:
SiC-Leistungs-MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung:
- 6 V, 22 V
Montageart:
Schraubbefestigung
Paket / Koffer:
Modul
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
BSMx
Verpackung:
Schüttgut
Aufbau:
Halbbrücke
Höhe:
21.1 mm
Länge:
122 mm
Breite:
45.6 mm
Marke:
ROHM Halbleiter
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Typische Verzögerungszeit:
45 ns
Abfallzeit:
60 ns
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
134 A
Pd - Verlustleistung:
935 W
Produktart:
Diskrete Halbleitermodule
Anstiegszeit:
50 ns
Werkspackungsmenge:
12
Unterkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
170 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
45 ns
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
1200 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.6 V
Teil # Aliase:
BSM120D12P2C005
Gewichtseinheit:
9.856004 oz
Tags
BSM1, BSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
MOSFET Module, N Channel, 120 A, 1.2 kV, 2.7 V RoHS Compliant: Yes
***Components
Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 120 A, 1200 V, 4-Pin C ROHM BSM120D12P2C005
***et
Trans SiC MOSFET N-CH 1.2KV 120A 10-Pin Case C Tray
***i-Key
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
***ukat
SiC-N-Ch-Half-Bridge+2xSBD 1200V 134A C-
***ment14 APAC
MODULE, POWER, SIC, 1200V, 120A
***p One Stop Japan
Power Module Automotive 10-Pin Tray
Silicon Carbide (SiC) Power Devices
ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. SiC also allows designers to use fewer components, further reducing design complexity.
SiC Power Modules
ROHM Semiconductor SiC power modules are Half Bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stary inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BSM120D12P2C005
DISTI # BSM120D12P2C005-ND		ROHM SemiconductorMOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk		On Order
  • 10:$372.1830
  • 1:$391.0600
BSM120D12P2C005
DISTI # BSM120D12P2C005		ROHM SemiconductorTrans SiC MOSFET N-CH 1.2KV 120A 10-Pin Case C Tray - Bulk (Alt: BSM120D12P2C005)
RoHS: Compliant
Min Qty: 12
Container: Bulk		Americas - 0
  • 12:$387.8900
  • 24:$363.6900
  • 48:$342.3900
  • 72:$323.3900
  • 120:$314.6900
BSM120D12P2C005
DISTI # 755-BSM120D12P2C005		ROHM SemiconductorDiscrete Semiconductor Modules Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
RoHS: Compliant		0
  • 1:$391.0600
  • 5:$381.6300
BSM120D12P2C005
DISTI # 2345472		ROHM SemiconductorMODULE, POWER, SIC, 1200V, 120A
RoHS: Compliant		0
  • 1:£371.0000
  • 5:£307.0000
Bild Teil # Beschreibung
M24C04-RDW6TP

Mfr.#: M24C04-RDW6TP

OMO.#: OMO-M24C04-RDW6TP

 EEPROM 16Kbit 8Kbit 4Kbit 2Kb and 1Kb Serial
TL431ACLP

Mfr.#: TL431ACLP

OMO.#: OMO-TL431ACLP

 Voltage References Adj Shunt
LM1881N/NOPB

Mfr.#: LM1881N/NOPB

OMO.#: OMO-LM1881N-NOPB

 Video ICs Video Sync Separator
172059-1

Mfr.#: 172059-1

OMO.#: OMO-172059-1

 Heavy Duty Power Connectors MALE HSG DRAWER
MGJ2D051505SC

Mfr.#: MGJ2D051505SC

OMO.#: OMO-MGJ2D051505SC-MURATA-POWER-SOLUTIONS

 Isolated DC/DC Converters 2W 5Vin 15/-5Vout 80/40mA SIP
172059-1

Mfr.#: 172059-1

OMO.#: OMO-172059-1-TE-CONNECTIVITY

 Heavy Duty Power Connectors MALE HSG DRAWER
LM1881N/NOPB

Mfr.#: LM1881N/NOPB

OMO.#: OMO-LM1881N-NOPB-TEXAS-INSTRUMENTS

 IC VIDEO SYNC SEPARATOR 8-DIP
TL431ACLP

Mfr.#: TL431ACLP

OMO.#: OMO-TL431ACLP-TEXAS-INSTRUMENTS

 Voltage References Adj Shunt
M24C04-RDW6TP

Mfr.#: M24C04-RDW6TP

OMO.#: OMO-M24C04-RDW6TP-STMICROELECTRONICS

 IC EEPROM 4K I2C 400KHZ 8TSSOP
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
4000
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Der aktuelle Preis von BSM120D12P2C005 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
355,48 $
355,48 $
5
346,93 $
1 734,65 $
10
338,32 $
3 383,20 $
25
333,57 $
8 339,25 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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