MMBF2201NT1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

300 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

1.4 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

150 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.85 mm

Länge:

2.1 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

MMBF2201N

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.24 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

450 mS

Abfallzeit:

0.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.5 ns

Gewichtseinheit:

0.000219 oz

Tags

MMBF2201NT, MMBF2201N, MMBF2201, MMBF22, MMBF2, MMBF, MMB