SI5411EDU-T1-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-ChipFET-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

25 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

900 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

105 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

31 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.75 mm

Länge:

3 mm

Serie:

SI54

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.8 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

45 S

Abfallzeit:

35 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

70 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Tags

SI541, SI54, SI5