IRF6623TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DirectFET-ST

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

16 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.7 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

11 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 40 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

42 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.7 mm

Länge:

4.85 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.95 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

34 S

Abfallzeit:

4.5 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40 ns

Werkspackungsmenge:

4800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.7 ns

Teil # Aliase:

SP001526818

Tags

IRF6623T, IRF6623, IRF662, IRF66, IRF6, IRF