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SI7214DN-T1-GE3

SI7214DN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7214DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 6.4A 2.6W 40mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI7214DN-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teil-Aliasnamen
SI7214DN-GE3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAKR 1212-8 Dual
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
PowerPAKR 1212-8 Dual
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
1.3W
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
30V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
-
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
4.6A
Rds-On-Max-Id-Vgs
40 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs-th-Max-Id
3V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
6.5nC @ 4.5V
Pd-Verlustleistung
1.3 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
6 ns
Anstiegszeit
10 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
4.6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
40 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
19 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
7 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI7214DN-T1, SI7214DN-T, SI7214D, SI7214, SI721, Si72, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***nell
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 5.9A
***ment14 APAC
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 5.9A; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 5.9A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:4.6A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:30V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.0333ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI7214DN-T1-GE3
DISTI # SI7214DN-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 3000:$0.7392
SI7214DN-T1-GE3
DISTI # SI7214DN-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 4.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R (Alt: SI7214DN-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape and Reel		Asia - 0
    SI7214DN-T1-GE3
    DISTI # 781-SI7214DN-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 6.4A 2.6W 40mohm @ 10V
    RoHS: Compliant    		0
      SI7214DN-T1-GE3
      DISTI # 1871372      		Vishay IntertechnologiesDUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 5.9A
      RoHS: Compliant      		0
      • 3000:£0.8260
      Bild Teil # Beschreibung
      SI7214DN-T1-E3

      Mfr.#: SI7214DN-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7214DN-T1-E3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7228DN-GE3
      SI7214DN-T1-GE3

      Mfr.#: SI7214DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7214DN-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 6.4A 2.6W 40mohm @ 10V
      SI7214DN

      Mfr.#: SI7214DN

      OMO.#: OMO-SI7214DN-1190

      		 Neu und Original
      SI7214DN-T1-E3

      Mfr.#: SI7214DN-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7214DN-T1-E3-VISHAY

      		 MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
      SI7214DN-T1-E3 GE3

      Mfr.#: SI7214DN-T1-E3 GE3

      OMO.#: OMO-SI7214DN-T1-E3-GE3-1190

      		 Neu und Original
      SI7214DN-T1-E3CT-ND

      Mfr.#: SI7214DN-T1-E3CT-ND

      OMO.#: OMO-SI7214DN-T1-E3CT-ND-1190

      		 Neu und Original
      SI7214DN-TI-E3

      Mfr.#: SI7214DN-TI-E3

      OMO.#: OMO-SI7214DN-TI-E3-1190

      		 Neu und Original
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      Available
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      500
      0,78 $
      392,00 $
      1000
      0,74 $
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