SI6975DQ-T1-GE3

SI6975DQ-T1-GE3
Mfr. #:
SI6975DQ-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 5.1A 1.14W 27mohm @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI6975DQ-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teil-Aliasnamen
SI6975DQ-GE3
Gewichtseinheit
0.005573 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
8-TSSOP
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
Leistung max
830mW
Transistor-Typ
2 P-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
12V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
-
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
4.3A
Rds-On-Max-Id-Vgs
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
450mV @ 5mA (Min)
Gate-Lade-Qg-Vgs
30nC @ 4.5V
Pd-Verlustleistung
830 mW
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
4.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 12 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
27 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Tags
SI6975, SI697, SI69, SI6
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI6975DQ-T1-GE3
DISTI # SI6975DQ-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.8167
SI6975DQ-T1-GE3
DISTI # 781-SI6975DQ-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 12V 5.1A 1.14W 27mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$0.7430
  • 6000:$0.7160
  • 9000:$0.6880
Bild Teil # Beschreibung
SI6975DQ-T1-GE3

Mfr.#: SI6975DQ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI6975DQ-T1-GE3

MOSFET 12V 5.1A 1.14W 27mohm @ 4.5V
SI6975DQ-T1-E3

Mfr.#: SI6975DQ-T1-E3

OMO.#: OMO-SI6975DQ-T1-E3

MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI6913DQ-GE3
SI6975DQ-T1-GE3

Mfr.#: SI6975DQ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI6975DQ-T1-GE3-VISHAY

RF Bipolar Transistors MOSFET 12V 5.1A 1.14W 27mohm @ 4.5V
SI6975DQ

Mfr.#: SI6975DQ

OMO.#: OMO-SI6975DQ-1190

Neu und Original
SI6975DQ-T1-E3

Mfr.#: SI6975DQ-T1-E3

OMO.#: OMO-SI6975DQ-T1-E3-VISHAY

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
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