2SD2144STPU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

SC-72-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

25 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

12 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

180 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

350 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

-

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

2700 at 10 mA, 3 V

Verpackung:

Spule

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

820 at 10 mA, 3 V

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2SD2144ST, 2SD2144, 2SD214, 2SD21, 2SD2, 2SD