ZXTP07040DFFTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23F-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

40 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

50 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

200 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZXTP07040

DC-Stromverstärkung hFE Max:

300

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.7 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

300 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 1 A, 2 V, 80 at 3 A, 2 V

Pd - Verlustleistung:

2000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZXTP07, ZXTP0, ZXTP, ZXT